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第二季DRAM合约价涨幅上修至13~18%；NAND Flash约15~20%
- 据TrendForce集邦咨询最新预估，第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%；NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15~20%，全线产品仅eMMC/UFS价格涨幅较小，约10%。403地震发生前，TrendForce集邦咨询原先预估，第二季DRAM合约价季涨幅约3~8%；NAND Flash为13~18%，相较第一季涨幅明显收敛，当时从合约价先行指标的现货价格就可看出，现货价已出现连续走弱，上涨动能低落、交易量降低等情况。究其原因，主要是除了AI以外的终端需求不振，尤其笔电、智能手机
- 关键字：DRAMNAND FlashTrendForce
累计上涨100%还不停！消息称SK海力士将对内存等涨价 至少上调20%
- 5月6日消息，供应链爆料称，SK海力士将对旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等产品提价，涨幅均有15%-20%。按照消息人士的说法，海力士DRAM产品价格从去年第四季度开始逐月上调，目前已累计上涨约60%-100%不等，下半年涨幅将趋缓。靠着存储涨价，三星电子2024年第一季营业利润达到了6.606万亿韩元。财报显示，三星电子一季度存储业务营收17.49万亿韩元，环比增长11%，同比暴涨96%，在整体的半导体业务营收当中的占比高达75.58%。三星表示，一季度存储市场总体需求强劲，特别是生
- 关键字：SK海力士三星DDR5NAND Flash上涨
群联3月营收年增73%，创历史单月新高纪录
- 近日，存储厂商群联公布了2024年3月份营运结果，合并营收为新台币67.75亿元，年成长达73%，刷新历史单月营收新高纪录。全年度营收累计至3月份达新台币165.26亿元，年成长达64%，为历史同期次高。群联表示，2024年3月份SSD控制芯片总累计总出货量年成长达96%，其中PCIe SSD控制芯片总出货量年增率达176%，刷新历史单月新高。此外，全年度累计至3月份之整体NAND闪存位元数总出货量的年成长率（Bit Growth Rate）也达80%，刷新历史同期新高，显示整体市场需求持续缓步回升趋势不
- 关键字：群联SSD固态硬盘NAND Flash
3D NAND，1000层竞争加速
- 据国外媒体Xtech Nikkei报道，日本存储芯片巨头铠侠（Kioxia）首席技术官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布，该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。众所周知，在所有的电子产品中，NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展，以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨，堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后，NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯
- 关键字：NAND Flash存储芯片铠侠
第二季NAND Flash合约价季涨13~18%，Enterprise SSD涨幅最高
- TrendForce集邦咨询表示，除了铠侠（Kioxia）和西部数据（WDC）自今年第一季起提升产能利用率外，其它供应商大致维持低投产策略。尽管第二季NAND Flash采购量较第一季小幅下滑，但整体市场氛围持续受供应商库存降低，以及减产效应影响，预估第二季NAND Flash合约价将强势上涨约13~18%。eMMC方面，中国智能手机品牌为此波eMMC最大需求来源，由于部分供应商已降低供应此类别产品，中国模组厂出货大幅提升。买方为了满足生产需求开始扩大采用模组厂方案，助益中国模组厂技术进一步升级及
- 关键字：TrendForceNAND FlashEnterprise SSD
西部数据NAND Flash业务拆分最新进展，新任CEO揭晓
- 月5日，西部数据宣布，在NAND Flash业务拆分后，将保留原名，专注经营核心HDD业务，并表示这一分拆过程有望在2024年下半年完成。与此同时，将为即将分拆的闪存和传统硬盘业务任命CEO。西部数据称，现任西部数据全球运营执行副总裁 Irving Tan 将出任剩下的独立 HDD公司的CEO，继续以西部数据的身份运营。现任CEO David Goeckeler则受命转往NAND Flash部门成立的新公司，出任新公司执行长。图片来源：西部数据西部数据与铠侠合并进展如何？据悉，自2021年以来，西部数据及
- 关键字：闪存芯片NAND Flash西部数据
浅谈因电迁移引发的半导体失效
- 前言半导体产品老化是一个自然现象，在电子应用中，基于环境、自然等因素，半导体在经过一段时间连续工作之后，其功能会逐渐丧失，这被称为功能失效。半导体功能失效主要包括：腐蚀、载流子注入、电迁移等。其中，电迁移引发的失效机理最为突出。技术型授权代理商Excelpoint世健的工程师Wolfe Yu在此对这一现象进行了分析。 1、 背景从20世纪初期第一个电子管诞生以来，电子产品与人类的联系越来越紧密，特别是进入21世纪以来，随着集成电路的飞速发展，人们对电子产品的需求也变得愈加丰富。随着电子
- 关键字：电迁移半导体失效世健MicrochipFlash FPGA
nand flash介绍
Nand-flash内存是flash内存的-种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。 NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数 [
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